Datasheet FP75R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM — Даташит

Купить FP75R12KE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.00 до 41 573 ₽ 35 предложений от 21 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM
Триема Россия	LCN0603T-1N8J-N Yageo	3.00 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	FP50R12KS4C FP75R12KE3 FP75R12KT3 FP50R12KT3 FP50R12KE3 FP40R12KT3G BSM50GP120 BSM50GP60G BSM100GP60 GD75PIT120C6S IGBT-MODULE	3 793 ₽	Купить
Utmel Весь мир	FP75R12KE3BOSA1 Infineon	от 4 989 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	FP75R12KE3V1	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP75R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hцchstzulдssige Werte / Maximum rated values

Спецификации:

• Module Configuration: Seven
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 105 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
• Power Dissipation Max: 350 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: EconoPIM 2
• Количество выводов: 24
• Тип корпуса: Econopim 2
• Способ монтажа: Solder
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 105 А
• Forward Current If(AV): 75 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 500 А
• Power Dissipation: 350 Вт
• Power Dissipation Ptot Max: 350 Вт
• Pulsed Current Icm: 150 А
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1600 В
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть