Datasheet FS200R12PT4 - Infineon Даташит IGBT, POW, счетверенный Вт NTC, 1200 В, 200 А — Даташит
Наименование модели: FS200R12PT4
![]() 22 предложений от 16 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK 4 Module 200A 1200V | |||
FS200R12PT4BOSA1 Infineon | от 46 952 ₽ | ||
FS200R12PT4 - Infineon Technologies Infineon | по запросу | ||
FS200R12PT4 Infineon | по запросу | ||
FS200R12PT4PBOSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, POW, счетверенный Вт NTC, 1200 В, 200 А
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS200R12PT4
EconoPACKTM4 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC EconoPACKTM4 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
# $ % & '
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 20
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FS150R12PT4