Datasheet FS25R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS25R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 5 708 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 45A
AiPCBA Весь мир	FS25R12W1T4 Infineon	2 058 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FS25R12W1T4	от 2 479 ₽	Купить
ЭИК Россия	FS25R12W1T4BOMA1 Infineon	от 4 471 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FS25R12W1T4	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 25 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS25R12W1T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 205 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18

RoHS: есть