Datasheet FS35R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS35R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 903 до 5 330 ₽ 27 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A
Lixinc Electronics Весь мир	FS35R12W1T4 Infineon	от 3 113 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	3 325 ₽	Купить
ЭИК Россия	FS35R12W1T4BOMA1 Infineon	от 5 098 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FS35R12W1T4 - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS35R12W1T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 35 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Power Dissipation Max: 225 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18

RoHS: есть