Datasheet FS50R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPACK — Даташит
Наименование модели: FS50R06W1E3
![]() 28 предложений от 17 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V | |||
FS50R06W1E3 Infineon | от 2 827 ₽ | ||
FS50R06W1E3_B11 Infineon | 4 891 ₽ | ||
FS50R06W1E3_B11 Infineon | по запросу | ||
FS50R06W1E3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 50 А, EASYPACK
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS50R06W1E3
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
* + , -
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
- Power Dissipation Max: 205 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 18
RoHS: есть