Datasheet FS50R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS50R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 573 до 6 960 ₽ 24 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули
AllElco Electronics Весь мир	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 1 573 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FS50R12W2T4 Infineon	3 655 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 6 516 ₽	Купить
Элитан Россия	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	6 960 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS50R12W2T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18
• Рассеиваемая мощность максимальная: 335 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FS50R12W2T4_B11
• Infineon - FS75R12W2T4