Datasheet FS50R12W2T4_B11 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK — Даташит

Купить FS50R12W2T4_B11 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 611 до 6 960 ₽ 24 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули
Софт-Логистик Россия	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	4 841 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 6 403 ₽	Купить
Эиком Россия	FS50R12W2T4BOMA1 Infineon	от 6 841 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FS50R12W2T4_B11 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 50 А, EASYPACK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS50R12W2T4_B11
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
! " # $

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 18
• Рассеиваемая мощность максимальная: 335 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FS50R12W2T4
• Infineon - FS75R12W2T4