Datasheet FS75R12W2T4 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 75 А, EASYPACK — Даташит

Наименование модели: FS75R12W2T4
 Купить FS75R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 852 до 9 899 ₽20 предложений от 16 поставщиков EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC  | |||
| FS75R12W2T4BOMA1 Infineon  | от 1 852 ₽ | ||
| FS75R12W2T4BOMA1 Infineon  | 7 254 ₽ | ||
| FS75R12W2T4 Infineon  | от 7 726 ₽ | ||
| FS75R12W2T4BOMA1 Infineon  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 75 А, EASYPACK
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS75R12W2T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data
Спецификации:
- Module Configuration: Six
 - Полярность транзистора: N Channel
 - DC Collector Current: 75 А
 - Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
 - Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
 - Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: Module
 - Количество выводов: 18
 - Рассеиваемая мощность максимальная: 375 Вт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FS75R12W2T4_B11
 

Купить FS75R12W2T4 на РадиоЛоцман.Цены




