Datasheet FZ1000R33HE3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А — Даташит

Купить FZ1000R33HE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 28 963 до 427 032 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA
ЧипСити Россия	1SP0635V2M1-FZ1000R33HE3 Power Integrations	28 963 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	1SP0635V2M1-FZ1000R33HE3 Power Integrations	30 811 ₽	Купить
Utmel Весь мир	FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon	от 142 935 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	FZ1000R33HE3_C1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! # ( ) * + , !
"
(-./ 0 !! 1- 234 0
( 5 , 1-67 0
5

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 1000 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.55 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -50°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Рассеиваемая мощность максимальная: 9.6 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0