Datasheet FZ1000R33HL3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А — Даташит
Наименование модели: FZ1000R33HL3
![]() 13 предложений от 11 поставщиков , 3300V IHV B 130mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your traction and industry applications.... | |||
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon | 105 008 ₽ | ||
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon | 119 763 ₽ | ||
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon | 123 387 ₽ | ||
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon | 131 263 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А
Краткое содержание документа:
$ ! " # $ %
! !
" "
#
!&'( ) ** +& ,-.
)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1000 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Рассеиваемая мощность максимальная: 9.6 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0