Datasheet FZ1000R33HL3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ ! " # $ %
! !
" "
#
!&'( ) ** +& ,-.

)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 1000 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -50°C ... +150°C
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Рассеиваемая мощность максимальная: 9.6 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0