Datasheet FZ1500R33HE3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А — Даташит
Наименование модели: FZ1500R33HE3
![]() 12 предложений от 12 поставщиков , Power Management Modules 1SP0635S2M IGBT Driver HVIC | |||
1SP0635S2M1-FZ1500R33HE3 Power Integrations | 30 327 ₽ | ||
FZ1500R33HE3BPSA1 Infineon | 155 686 ₽ | ||
FZ1500R33HE3BPSA1 Infineon | 161 109 ₽ | ||
FZ1500R33HE3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А
Краткое содержание документа:
! $ # $ % & ' ! "
"
#
#()* + !! # ,( -./ + 0 1 ' ,(23 + !
1
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1500 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.55 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 9
- Рассеиваемая мощность максимальная: 14.5 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0