Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet FZ1500R33HL3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А — Даташит

Infineon FZ1500R33HL3

Наименование модели: FZ1500R33HL3

16 предложений от 13 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA
ЧипСити
Россия
1SP0635D2S1-FZ1500R33HL3
Power Integrations
11 612 ₽
AiPCBA
Весь мир
1SP0635D2S1-FZ1500R33HL3
Power Integrations
12 221 ₽
Akcel
Весь мир
1SP0635V2MX-FZ1500R33HL3
Power Integrations
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
FZ1500R33HL3NPSA1
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!! % ! " # $ % !
" "
# #
$
!&'( ) ** ! +& ,-.

) / 0 % +&12 ) *

Спецификации:

  • Module Configuration: Single
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 1500 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -50°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 9
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 14.5 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet FZ1500R33HL3 - Infineon IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 V, 1500 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России