Datasheet FZ1500R33HL3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А — Даташит
Наименование модели: FZ1500R33HL3
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA | |||
FZ1500R33HL3BPSA1 Infineon | 161 109 ₽ | ||
FZ1500R33HL3BPSA1 Infineon | 1 307 067 ₽ | ||
FZ1500R33HL3 - Infineon Technologies Infineon | по запросу | ||
FZ1500R33HL3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1500 А
Краткое содержание документа:
!! % ! " # $ % !
" "
# #
$
!&'( ) ** ! +& ,-.
) / 0 % +&12 ) *
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1500 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 9
- Рассеиваемая мощность максимальная: 14.5 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- DAVICO - D 25-10
- TE Connectivity - 0-0160170-0