Datasheet SEMIX 101GD126HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK — Даташит

Купить SEMIX 101GD126HDS на РадиоЛоцман.Цены — от 8 266 до 11 167 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX101GD126HDS IGBT Array & Module Transistor, Six NPN, 129A, 1.7V, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	SEMIX101GD126HDS Semikron	8 266 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SEMIX101GD126HDS Semikron	11 167 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SEMIX101GD126HDS_07 Semikron	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SEMIX101GD126HDS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK

Указания по применению

Краткое содержание документа:
SEMiX® - Technical Explanations
SEMiX
®
IGBT Modules & Bridge Rectifier Family Technical Explanations
Version 2.0 / January 2008 Christian Daucher

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 130 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SEMiX 13s
• Количество выводов: 20
• External Depth: 61.7 мм
• Внешняя ширина: 137.8 мм
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: SEMiX 13s
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 120 А
• Current Ic Continuous a Max: 120 А
• Current Ic Continuous b Max: 85 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 50 мм
• Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
• Pulsed Current Icm: 120 А
• Rise Time: 39 нс
• SMD Marking: SEMiX13s
• Voltage: 1.2 кВ
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть