Datasheet SEMIX 353GD176HDC - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1700 В, 6 PACK — Даташит
Наименование модели: SEMIX 353GD176HDC
9 предложений от 9 поставщиков транзистор характеристики, IGBT Power Module | |||
SEMIX353GD176HDC Semikron | по запросу | ||
SEMIX353GD176HDC | по запросу | ||
SEMIX353GD176HDC_07 Semikron | по запросу | ||
SEMIX353GD176HDC Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 1700 В, 6 PACK
Краткое содержание документа:
SEMiX® - Technical Explanations
SEMiX
®
IGBT Modules & Bridge Rectifier Family Technical Explanations
Version 2.0 / January 2008 Christian Daucher
Спецификации:
- DC Collector Current: 365 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 В
- Корпус транзистора: SEMiX 33c
- Количество выводов: 29
- External Depth: 150 мм
- Внешняя ширина: 162 мм
- Количество транзисторов: 6
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Тип корпуса: SEMiX 33c
- Способ монтажа: Screw
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 380 А
- Current Ic Continuous a Max: 380 А
- Current Ic Continuous b Max: 270 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 50 мм
- Fixing Hole Diameter: 5.5 мм
- Pulsed Current Icm: 380 А
- Rise Time: 75 нс
- SMD Marking: SEMiX 33c
- Voltage: 1700 В
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть