Datasheet SEMIX252GB126HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X1200V — Даташит

Купить SEMIX252GB126HDS на РадиоЛоцман.Цены — от 8 199 до 24 499 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX252GB126HDS IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 242A, 1.7V, 1.2kV, Module
AiPCBA Весь мир	SEMIX252GB126HDS Semikron	14 638 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	SEMIX252GB126HDS_07 Semikron	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SEMIX252GB126HD Semikron	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SEMIX252GB126HDS Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 2X1200V

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SEMiX 252GB126HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX®2s Trench IGBT Modules
SEMiX 252GB126HDs Freewheeling Diode Preliminary Data Module Inverse Diode
Features

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 270 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SEMiX 2s
• Количество выводов: 14
• Тип корпуса: SEMiX 2s
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 270 А
• Current Ic Continuous a Max: 270 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 1000 А
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ
• Rise Time: 45 нс
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть