Datasheet SEMIX452GB176HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X1700V — Даташит

Купить SEMIX452GB176HDS на РадиоЛоцман.Цены — от 1 134 до 13 768 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX452GB176HDS IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 430A, 2V, 1.7kV, Module
Элитан Россия	SEMIX452GB176HD Semikron	1 134 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SEMIX452GB176HD Semikron	9 155 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	SEMIX452GB176HD Semikron	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	SEMIX452GB176HDS Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 2X1700V

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SEMiX 452GB176HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX® 2s Trench IGBT Modules
SEMiX 452GB176HDs Module Preliminary Data Inverse Diode
Features

Спецификации:

• DC Collector Current: 430 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 В
• Корпус транзистора: SEMiX 2s
• Количество выводов: 12
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: SEMiX 2s
• Способ монтажа: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 430 А
• Current Ic Continuous a Max: 430 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 2000 А
• Pulsed Current Icm: 600 А
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1700 В
• Rise Time: 105 нс
• Voltage Vces: 1700 В

RoHS: есть