Datasheet SEMIX603GAR066HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X600V — Даташит
Наименование модели: SEMIX603GAR066HDS
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, IGBT 3 (Trench) | |||
SEMIX603GAR066HDS Semikron | 7 744 ₽ | ||
SEMIX603GAR066HDS Semikron | 8 361 ₽ | ||
SEMIX603GAR066HD | по запросу | ||
SEMIX603GAR066HDS Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 2X600V
Краткое содержание документа:
SEMiX 603GB066HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX®3s Trench IGBT Modules
SEMiX 603GB066HDs SEMiX 603GAL066HDs SEMiX 603GAR066HDs Preliminary Data Module Inverse Diode
Features
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 790 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SEMiX 3s
- Количество выводов: 17
- Тип корпуса: SEMiX 3s
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 790 А
- Current Ic Continuous a Max: 790 А
- Forward Surge Current Ifsm Max: 1800 А
- Pulsed Current Icm: 1200 А
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
- Rise Time: 145 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть