Datasheet SEMIX653GB176HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X1700V — Даташит
Наименование модели: SEMIX653GB176HDS
![]() 15 предложений от 15 поставщиков Транзистор IGBT, IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃ | |||
SEMIX653GB176HDS Semikron | 9 601 ₽ | ||
SEMiX653GB176HDs Semikron | по запросу | ||
SEMIX653GB176HDS Semikron | по запросу | ||
SEMIX653GB176HDS_09 Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 2X1700V
Краткое содержание документа:
SEMiX 653GB176HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
SEMiX 653GB176HDs SEMiX 653GAL176HDs SEMiX 653GAR176HDs Preliminary Data Module Inverse Diode
Features
Спецификации:
- DC Collector Current: 619 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 В
- Корпус транзистора: SEMiX 3s
- Количество выводов: 16
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Тип корпуса: SEMiX 3s
- Способ монтажа: Screw
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 650 А
- Current Ic Continuous a Max: 650 А
- Forward Surge Current Ifsm Max: 2900 А
- Pulsed Current Icm: 900 А
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1700 В
- Rise Time: 90 нс
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть