Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SEMIX653GB176HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X1700V — Даташит

Semikron SEMIX653GB176HDS

Наименование модели: SEMIX653GB176HDS

13 предложений от 13 поставщиков
Транзистор IGBT, IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃
ТаймЧипс
Россия
SEMIX653GB176HDS_07
Semikron
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SEMIX653GB176HD
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SEMiX653GB176HDs
Semikron
по запросу
Augswan
Весь мир
SEMIX653GB176HDS
Semikron
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 2X1700V

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SEMiX 653GB176HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
SEMiX 653GB176HDs SEMiX 653GAL176HDs SEMiX 653GAR176HDs Preliminary Data Module Inverse Diode
Features

Спецификации:

  • DC Collector Current: 619 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 В
  • Корпус транзистора: SEMiX 3s
  • Количество выводов: 16
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: SEMiX 3s
  • Способ монтажа: Screw
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Тип транзистора:
  • Av Current Ic: 650 А
  • Current Ic Continuous a Max: 650 А
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 2900 А
  • Pulsed Current Icm: 900 А
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1700 В
  • Rise Time: 90 нс
  • Voltage Vces: 1700 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SEMIX653GB176HDS - Semikron IGBT MODULE, 2X1700V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка