Datasheet SK35GD126ET - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK — Даташит

Купить SK35GD126ET на РадиоЛоцман.Цены — от 6 578 до 10 622 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SK35GD126ET IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 40A, 2.1V, 1.05kW, 1.2kV, SEMITOP 3
AiPCBA Весь мир	SK35GD126ET Semikron	6 578 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SK35GD126ET Semikron	7 055 ₽	Купить
МосЧип Россия	SK35GD126ET Semikron	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SK35GD126ET Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK

Спецификации:

• Module Configuration: Six
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 40 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SEMITOP 3
• Количество выводов: 36
• External Depth: 31 мм
• Внешняя ширина: 55 мм
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: SEMITOP 3
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 40 А
• Current Ic Continuous a Max: 40 А
• Current Ic Continuous b Max: 32 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 52.5 мм
• Fixing Hole Diameter: 2 мм
• Power Dissipation Pd: 1.05 кВт
• Pulsed Current Icm: 80 А
• Rise Time: 30 нс
• SMD Marking: SEMITOP3
• Voltage: 1.2 кВ
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть