Datasheet SK35GD126ET - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK — Даташит
Наименование модели: SK35GD126ET
Купить SK35GD126ET на РадиоЛоцман.Цены — от 7 120 до 11 497 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков 3-phase bridge inverter | |||
| SK35GD126ET Semikron | 7 120 ₽ | ||
| SK35GD126ET Semikron | 7 188 ₽ | ||
| SK35GD126ET | по запросу | ||
| SK35GD126ET Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 40 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITOP 3
- Количество выводов: 36
- External Depth: 31 мм
- Внешняя ширина: 55 мм
- Количество транзисторов: 6
- Тип корпуса: SEMITOP 3
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 40 А
- Current Ic Continuous a Max: 40 А
- Current Ic Continuous b Max: 32 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 52.5 мм
- Fixing Hole Diameter: 2 мм
- Power Dissipation Pd: 1.05 кВт
- Pulsed Current Icm: 80 А
- Rise Time: 30 нс
- SMD Marking: SEMITOP3
- Voltage: 1.2 кВ
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
