Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SK50DGDL126T - Semikron Даташит IGBT MODULE, CIB, 1200 В, 68 А — Даташит

Semikron SK50DGDL126T

Наименование модели: SK50DGDL126T

5 предложений от 5 поставщиков
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
AiPCBA
Весь мир
SK50DGDL126T
Semikron
4 975 ₽
ChipWorker
Весь мир
SK50DGDL126T
Semikron
4 975 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SK50DGDL126T
Semikron
10 480 ₽
SK50DGDL126T_09
Semikron
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, CIB, 1200 В, 68 А

Спецификации:

  • Module Configuration: Six
  • DC Collector Current: 68 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SEMITOP 4
  • Количество выводов: 70
  • Junction Temperature Tj Max: 150°C
  • Junction Temperature Tj Min: -40°C
  • Тип корпуса: SEMITOP 4
  • Способ монтажа: Screw
  • Тип транзистора:
  • Current Ic Continuous a Max: 68 А
  • Fall Time tf: 90 нс
  • Pulsed Current Icm: 100 А
  • Rise Time: 30 нс
  • Voltage Vce Sat Typ: 1.7 В
  • Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SK50DGDL126T - Semikron IGBT MODULE, CIB, 1200 V, 68 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России