Datasheet SK50DGDL126T - Semikron Даташит IGBT MODULE, CIB, 1200 В, 68 А — Даташит
Наименование модели: SK50DGDL126T
![]() 6 предложений от 6 поставщиков 3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter | |||
SK50DGDL126T Semikron | 4 404 ₽ | ||
SK50DGDL126T Semikron | 9 278 ₽ | ||
SK50DGDL126T_09 Semikron | по запросу | ||
SK50DGDL126T Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, CIB, 1200 В, 68 А
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- DC Collector Current: 68 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITOP 4
- Количество выводов: 70
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Min: -40°C
- Тип корпуса: SEMITOP 4
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Current Ic Continuous a Max: 68 А
- Fall Time tf: 90 нс
- Pulsed Current Icm: 100 А
- Rise Time: 30 нс
- Voltage Vce Sat Typ: 1.7 В
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть