Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SKM50GB12T4 - Semikron Даташит IGBT HALFBRIDGE MODULE 50 А 1200 В — Даташит

Semikron SKM50GB12T4

Наименование модели: SKM50GB12T4

33 предложений от 17 поставщиков
Транзистор IGBT, IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81A, 1.85V, 1.2kV, SEMITRANS 2
Контест
Россия
SKM50GB12T4
7 992 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SKM50GB12T4
Semikron
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SKM50GB12T4
Semikron
по запросу
Augswan
Весь мир
SKM50GB12T4W
Semikron
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT HALFBRIDGE MODULE 50 А 1200 В

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • DC Collector Current: 50 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SEMITRANS 2
  • Количество выводов: 7
  • Тип корпуса: SEMITRANS 2
  • Способ монтажа: Screw

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SKM50GB12T4 - Semikron IGBT HALFBRIDGE MODULE 50 A 1200 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка