Datasheet SKM600GB066D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, 600 В — Даташит
Наименование модели: SKM600GB066D
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, IGBT halfbridge module 760A 600V | |||
SKM600GB066D Semikron | 16 784 ₽ | ||
SKM600GB066D Semikron | 21 233 ₽ | ||
SKM600GB066D Semikron | по запросу | ||
SKM600GB066D Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL, 600 В
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 760 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SEMITRANS 3
- Количество выводов: 7
- External Depth: 61.4 мм
- Внешняя ширина: 105 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITRANS 3
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 690 А
- Current Ic Continuous a Max: 690 А
- Current Ic Continuous b Max: 480 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 93 мм
- Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
- Pulsed Current Icm: 590 А
- Rise Time: 77 нс
- SMD Marking: SEMITRANS 3
- Voltage: 600 В
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть