Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, MTP, 600 В — Даташит
Наименование модели: VS-50MT060WHTAPBF
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 50 Amp Half Bridge | |||
VS-50MT060WHTAPBF Vishay | 3 965 ₽ | ||
VS-50MT060WHTAPBF Vishay | 4 388 ₽ | ||
VS-50MT060WHTAPBF, 2IGBT 50А 600В 20-100кГц MTP Vishay | 5 154 ₽ | ||
VS-50MT060WHTAPBF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, MTP, 600 В
Спецификации:
- Module Configuration: Half Bridge
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 114 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
- Power Dissipation Max: 658 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150пїЅпїЅC
- Корпус транзистора: MTP
- Количество выводов: 12
- Тип корпуса: MTP
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора:
- Current Ic @ Vce Sat: 50 А
- Current Ic Continuous a Max: 114 А
- Power Dissipation: 658 Вт
- Power Dissipation Pd: 658 Вт
- Pulsed Current Icm: 350 А
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VS50MT060WHTAPBF, VS 50MT060WHTAPBF