Datasheet VS-GB75YF120UT - Vishay Даташит IGBT, 4 PACK, 1200 В, 75 А, ECONO2 — Даташит

Наименование модели: VS-GB75YF120UT
7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GB75YF120UT IGBT Array & Module Transistor, NPN, 100A, 3.8V, 480W, 1.2kV, Module  | |||
| VS-GB75YF120UT Vishay  | 17 538 ₽ | ||
| VS-GB75YF120UT | по запросу | ||
| VS-GB75YF120UT | по запросу | ||
| VS-GB75YF120UT Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT, 4 PACK, 1200 В, 75 А, ECONO2
Краткое содержание документа:
GB75YF120UT
Vishay High Power Products
IGBT Fourpack Module, 75 A
FEATURES
· Square RBSOA · HEXFRED® low Qrr, low switching energy · Positive VCE(on) temperature coefficient · Copper baseplate · Low stray inductance design
Спецификации:
- Module Configuration: Quad
 - Полярность транзистора: NPN
 - DC Collector Current: 100 А
 - Collector Emitter Voltage Vces: 3.8 В
 - Power Dissipation Max: 480 Вт
 - Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
 - Корпус транзистора: Module
 - Количество выводов: 33
 
RoHS: есть
Варианты написания:
VSGB75YF120UT, VS GB75YF120UT






