Datasheet SKIM609GAL12E4 - Semikron Даташит IGBT Module — Даташит
Наименование модели: SKIM609GAL12E4
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SKIM609GAL12E4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 748A, 1.2kV, 800mV | |||
SKIM609GAL12E4 Semikron | 46 208 ₽ | ||
SKiM609GAL12E4 Semikron | 54 303 ₽ | ||
SKIM609GAL12E4_11 Semikron | по запросу | ||
SKiM609GAL12E4 Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT Module
Спецификации:
- DC Collector Current: 748 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.8 В
- Количество выводов: 32
- Тип корпуса: SKiM 93
RoHS: есть