Datasheet SEMIX 202GB066HD - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL 600 В — Даташит
Наименование модели: SEMIX 202GB066HD
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX202GB066HDS IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 275A, 1.45V, 45W, 600V, Module | |||
SEMIX202GB066HDS_10 Semikron | по запросу | ||
SEMIX202GB066HD | по запросу | ||
SEMiX202GB066HDs Semikron | по запросу | ||
SEMIX202GB066HDS Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL 600 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: SEMiX 2
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- External Depth: 61.6 мм
- Внешняя ширина: 116.5 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMiX 2
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 240 А
- Current Ic Continuous a Max: 240 А
- Current Ic Continuous b Max: 270 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 77 мм
- Fixing Hole Diameter: 5.5 мм
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Rise Time: 78 нс
- SMD Marking: SEMiX2
- Voltage: 600 В
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть