Datasheet SKM50GB123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL — Даташит

Купить SKM50GB123D на РадиоЛоцман.Цены — от 14 461 до 32 354 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications
TradeElectronics Россия	SKM50GB123D_06 Semikron	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	SKM50GB123D Semikron	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SKM50GB123D Semikron	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SKM50GB123D Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, DUAL

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Absolute Maximum Ratings
Symbol VCES VCGR IC ICM VGES Ptot Tj, (Tstg) Visol humidity climate Conditions 1) RGE = 20 k Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms per IGBT, Tcase = 25 °C AC, 1 min.

DIN 40 040 DIN IEC 68 T.1 Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C tp = 10 ms; Tj = 150 °C
Values
... 123 D 1200 1200 50 / 40 100 / 80 ± 20 310 ­ 40 . . .+150 (125) 2 500 Class F 40/125/56 50 / 40 100 / 80 550 1500 Units V V A A V W °C V
SEMITRANS® M IGBT Modules SKM 50 GB 123 D SKM 50 GAL 123 D

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 310 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SEMITRANS 2
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 29.5 мм
• Внешняя ширина: 94 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SEMITRANS 2
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 50 А
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Current Ic Continuous b Max: 40 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 80 мм
• Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
• Power Dissipation: 310 Вт
• Power Dissipation Pd: 400 Вт
• Power Dissipation Ptot Max: 400 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 60 нс
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть