Datasheet SKM50GB123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL — Даташит

Semikron SKM50GB123D

Наименование модели: SKM50GB123D

Купить SKM50GB123D на РадиоЛоцман.Цены — от 5 024 до 14 461 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications
T-electron Россия и страны СНГ	SKM50GB123D Semikron	5 024 ₽
Контест Россия	SKM50GB123D	14 461 ₽
ТаймЧипс Россия	SKM50GB123D Semikron	по запросу
Augswan Весь мир	SKM50GB123D Semikron	по запросу

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера EVE в Компэл

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, DUAL

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Absolute Maximum Ratings
Symbol VCES VCGR IC ICM VGES Ptot Tj, (Tstg) Visol humidity climate Conditions 1) RGE = 20 k Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms per IGBT, Tcase = 25 °C AC, 1 min.

DIN 40 040 DIN IEC 68 T.1 Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C tp = 10 ms; Tj = 150 °C
Values
... 123 D 1200 1200 50 / 40 100 / 80 ± 20 310 40 . . .+150 (125) 2 500 Class F 40/125/56 50 / 40 100 / 80 550 1500 Units V V A A V W °C V
SEMITRANS® M IGBT Modules SKM 50 GB 123 D SKM 50 GAL 123 D

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 50 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
Power Dissipation Max: 310 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
Корпус транзистора: SEMITRANS 2
External Depth: 34 мм
Внешняя длина / высота: 29.5 мм
Внешняя ширина: 94 мм
Количество транзисторов: 2
Тип корпуса: SEMITRANS 2
Способ монтажа: Screw
Тип транзистора:
Av Current Ic: 50 А
Current Ic Continuous a Max: 50 А
Current Ic Continuous b Max: 40 А
Current Temperature: 25°C
Fixing Centres: 80 мм
Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
Power Dissipation: 310 Вт
Power Dissipation Pd: 400 Вт
Power Dissipation Ptot Max: 400 Вт
Pulsed Current Icm: 100 А
Rise Time: 60 нс
Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть