Datasheet SKM50GB123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL — Даташит

Купить SKM50GB123D на РадиоЛоцман.Цены — от 4 690 до 35 083 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications
T-electron Россия и страны СНГ	SKM50GB123D Semikron	4 690 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SKM50GB123D Semikron	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SKM50GB123D Semikron	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	SKM50GB123D_06 Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, DUAL

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Absolute Maximum Ratings
Symbol VCES VCGR IC ICM VGES Ptot Tj, (Tstg) Visol humidity climate Conditions 1) RGE = 20 k Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms per IGBT, Tcase = 25 °C AC, 1 min.

DIN 40 040 DIN IEC 68 T.1 Tcase = 25/80 °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C tp = 10 ms; Tj = 150 °C
Values
... 123 D 1200 1200 50 / 40 100 / 80 ± 20 310 ­ 40 . . .+150 (125) 2 500 Class F 40/125/56 50 / 40 100 / 80 550 1500 Units V V A A V W °C V
SEMITRANS® M IGBT Modules SKM 50 GB 123 D SKM 50 GAL 123 D

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 310 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SEMITRANS 2
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 29.5 мм
• Внешняя ширина: 94 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SEMITRANS 2
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 50 А
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Current Ic Continuous b Max: 40 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 80 мм
• Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
• Power Dissipation: 310 Вт
• Power Dissipation Pd: 400 Вт
• Power Dissipation Ptot Max: 400 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 60 нс
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть