Datasheet 2MBI200N-060 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 600 В, 200 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 200 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT MODULE ( N series ) n Features
· Square RBSOA · Low Saturation Voltage · Less Total Power Dissipation · Improved FWD Characteristic · Minimized Internal Stray Inductance · Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)
n Outline Drawing
n Applications
· High Power Switching · A.C.

Motor Controls · D.C. Motor Controls · Uninterruptible Power Supply

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 780 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Количество выводов: 7
• External Depth: 45 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M233
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Вес: 0.18kg
• Current Ic @ Vce Sat: 200 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 350 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation Voltage: 2.5 кВ
• Power Dissipation: 780 Вт
• Power Dissipation Pd: 780 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 600 нс
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200N060, 2MBI200N 060