Datasheet SK60GAL123 - Semikron Даташит IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В — Даташит
Наименование модели: SK60GAL123
| SK60GAL123PBF Semikron | по запросу | ||
| SK60GAL123 Semikron | по запросу | ||
| SK60GAL123D Semikron | по запросу | ||
| SK60GAL123 Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 58 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITOP 2
- External Depth: 28 мм
- Внешняя ширина: 40.5 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SEMITOP 2
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 58 А
- Current Ic Continuous a Max: 58 А
- Current Ic Continuous b Max: 40 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 38 мм
- Fixing Hole Diameter: 2 мм
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Pulsed Current Icm: 57 А
- Rise Time: 90 нс
- SMD Marking: SEMITOP2
- Voltage: 1.2 кВ
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
