Datasheet STG3P3M25N60 - STMicroelectronics Даташит IGBT MODULE, 600 В, 25 А — Даташит

Купить STG3P3M25N60 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 96000mW 19Pin SEMITOP 3 Box
AiPCBA Весь мир	STG3P3M25N60 STMicroelectronics	4 762 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STG3P3M25N60 STMicroelectronics	4 762 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STG3P3M25N60	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	STG3P3M25N60 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 25 А

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Корпус транзистора: SEMITOP 3
• Тип корпуса: SEMITOP 3
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора: Power IGBT
• Current Ic Continuous a Max: 25 А
• Power Dissipation: 96 Вт
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть