Datasheet DIM200WHS12-A000 - Dynex Даташит IGBT, HALF-BRIDGE 200 А 1200 В — Даташит
Наименование модели: DIM200WHS12-A000
DIM200WHS12-E | по запросу | ||
DIM200WHS12-A | по запросу | ||
DIM200WHS12-A Dynex | по запросу | ||
DIM200WHS12-E | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Dynex
Описание: IGBT, HALF-BRIDGE 200 А 1200 В
Краткое содержание документа:
DIM200WHS12-A000
DIM200WHS12-A000
Half Bridge IGBT Module
Replaces December 2003 version, issue DS5671-2.2 DS5671-3.0 February 2004
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Вт
- Current Ic @ Vce Sat: 200 А
- Current Ic Continuous a Max: 200 А
- Current Temperature: 80°C
- Fall Time tf: 50 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Power Dissipation: 1.39 кВт
- Power Dissipation Pd: 1.39 кВт
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Rise Time: 95 нс
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
Варианты написания:
DIM200WHS12A000, DIM200WHS12 A000