Datasheet SEMIX202GB066HDS - Semikron Даташит IGBT MODULE, 2X600V — Даташит
Наименование модели: SEMIX202GB066HDS
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX202GB066HDS IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 275A, 1.45V, 45W, 600V, Module | |||
SEMIX202GB066HDS_10 Semikron | по запросу | ||
SEMIX202GB066HDS_07 Semikron | по запросу | ||
SEMIX202GB066HDS_06 Semikron | по запросу | ||
SEMiX202GB066HDs Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 2X600V
Краткое содержание документа:
SEMiX 202GB066HDs
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT Values Units
SEMiX®2s Trench IGBT Modules
SEMiX 202GB066HDs Module Preliminary Data Inverse Diode
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 274 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SEMiX 2s
- Тип корпуса: SEMiX 2s
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 275 А
- Current Ic Continuous a Max: 275 А
- Forward Surge Current Ifsm Max: 1000 А
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
- Rise Time: 80 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть