Datasheet SKM22GD123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, 3-PHASE BRIDGE — Даташит
Наименование модели: SKM22GD123D
 Купить SKM22GD123D на РадиоЛоцман.Цены — от 17 556 до 32 765 ₽12 предложений от 12 поставщиков транзистор характеристики, Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; SEMITRANS6 | |||
| SKM22GD123D | 17 556 ₽ | ||
| SKM22GD123D Semikron | по запросу | ||
| SKM22GD123D Semikron | по запросу | ||
| SKM22GD123D Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, 3-PHASE BRIDGE
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 22 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: SEMITRANS 6
- Количество выводов: 17
- External Depth: 45 мм
- Внешняя длина / высота: 24 мм
- Внешняя ширина: 105 мм
- Количество транзисторов: 6
- Тип корпуса: SEMITRANS 6
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 25 А
- Current Ic Continuous a Max: 25 А
- Current Ic Continuous b Max: 15 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 82 мм
- Fixing Hole Diameter: 2.5 мм
- Power Dissipation Pd: 145 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 145 Вт
- Pulsed Current Icm: 25 А
- Rise Time: 35 нс
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
