Datasheet DIM250WHS06-S000 - Dynex Даташит IGBT, HALF-BRIDGE 250 А 600 В — Даташит
Наименование модели: DIM250WHS06-S000
IGBT Module | |||
DIM250WHS06-S | по запросу | ||
DIM250WHS06-S | по запросу | ||
DIM250WHS06-S Dynex | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Dynex
Описание: IGBT, HALF-BRIDGE 250 А 600 В
Краткое содержание документа:
DIM250WHS06-S000
DIM250WHS06-S000
Half Bridge IGBT Module
PDS5676-1.3 February 2004
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Вт
- Current Ic @ Vce Sat: 250 А
- Current Ic Continuous a Max: 250 А
- Current Temperature: 65°C
- Fall Time tf: 250 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Power Dissipation: 1.157 кВт
- Power Dissipation Pd: 1.157 кВт
- Pulsed Current Icm: 500 А
- Rise Time: 130 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DIM250WHS06S000, DIM250WHS06 S000