Datasheet FMG2G75US60 - Fairchild Даташит IGBT MODULE, 600 В, 75 А — Даташит

Купить FMG2G75US60 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 832 до 2 937 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков IGBT Module Half Bridge 600 V 75 A 310 W Chassis Mount 7PM-GA
727GS Весь мир	FMG2G75US60	2 937 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FMG2G75US60 ON Semiconductor	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	FMG2G75US60 Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FMG2G75US60 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 75 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FMG2G75US60
September 2001
IGBT
FMG2G75US60
Molding Type Module

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 75 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 310 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: 7PM-GA
• External Depth: 93 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: 7PM-GA
• Pin Configuration: C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 75 А
• Fixing Centres: 80 мм
• Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
• Power Dissipation: 310 Вт
• Power Dissipation Pd: 310 Вт
• Pulsed Current Icm: 150 А
• Rise Time: 40 нс
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть