Datasheet FMG2G75US60 - Fairchild Даташит IGBT MODULE, 600 В, 75 А — Даташит

Купить FMG2G75US60 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 788 до 258 469 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
727GS Весь мир	FMG2G75US60	2 891 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	FMG2G75US60	258 469 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FMG2G75US60A ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FMG2G75US60 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 75 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FMG2G75US60
September 2001
IGBT
FMG2G75US60
Molding Type Module

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 75 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 310 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: 7PM-GA
• External Depth: 93 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: 7PM-GA
• Pin Configuration: C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 75 А
• Fixing Centres: 80 мм
• Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
• Power Dissipation: 310 Вт
• Power Dissipation Pd: 310 Вт
• Pulsed Current Icm: 150 А
• Rise Time: 40 нс
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть