Datasheet SK30GB128 - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В, 35 А — Даташит
Наименование модели: SK30GB128
IGBT Module | |||
SK30GB128_07 Semikron | по запросу | ||
SK30GB128 Semikron | по запросу | ||
SK30GB128 Semikron | по запросу | ||
SK30GB128 Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В, 35 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 35 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.1 В
- Корпус транзистора: SEMITOP 2
- Количество выводов: 5
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITOP 2
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 35 А
- Current Ic Continuous a Max: 25 А
- Current Ic Continuous b Max: 25 А
- Current Temperature: 80°C
- Isolation Voltage: 2.5 кВ
- Rise Time: 26 нс
- Voltage Vce Sat Typ: 2 В
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть