Datasheet SKM 100GB128D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, SPT, 1200 В, 145 А — Даташит
Наименование модели: SKM 100GB128D
5 предложений от 5 поставщиков Igbt Halfbridge Spt, 1200V, Semitrans | |||
SKM100GB128D Semikron | 4 883 ₽ | ||
SKM100GB128D Semikron | по запросу | ||
SKM100GB128D Semikron | по запросу | ||
SKM100GB128D Semikron | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL, SPT, 1200 В, 145 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.35 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: SEMITRANS 2
- External Depth: 30.5 мм
- Внешняя длина / высота: 26 мм
- Внешняя ширина: 94 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITRANS 2
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 145 А
- Current Ic Continuous a Max: 145 А
- Current Ic Continuous b Max: 105 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 65 нс
- Fixing Centres: 80 мм
- Rise Time: 38 нс
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть