Datasheet SKM 150GB128D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, SPT, 1200 В, 200 А — Даташит
Наименование модели: SKM 150GB128D
6 предложений от 6 поставщиков Igbt Halfbridge Spt 1200(V) 180(A) | |||
| SKM150GB128D Semikron | по запросу | ||
| SKM150GB128D Semikron | по запросу | ||
| SKM150GB128D Semikron | по запросу | ||
| SKM150GB128D_06 Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL, SPT, 1200 В, 200 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.35 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: SEMITRANS 3
- External Depth: 61.4 мм
- Внешняя длина / высота: 30.5 мм
- Внешняя ширина: 106.4 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITRANS 3
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 200 А
- Current Ic Continuous a Max: 200 А
- Current Ic Continuous b Max: 140 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 65 нс
- Fixing Centres: 93 мм
- Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
- Rise Time: 40 нс
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
