Datasheet Semikron SKM 75GB128D — Даташит
| Производитель | Semikron |
| Серия | SKM 75GB128D |
| Модель | SKM 75GB128D |
Модуль IGBT, двойной, SPT, 1200 В, 100 А
Datasheets
Datasheet SKM 75GB128D
PDF, 835 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 мар 2022, Страниц: 6
SPT IGBT Module
SPT IGBT Module
Выписка из документа
Igbt Halfbridge Spt 1200(V) 95(A) | |||
| SKM75GB128D | по запросу | ||
| SKM75GB128D Semikron | по запросу | ||
| SKM75GB128D Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Технические характеристики:
- Av ток Ic: 100 А
- Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,2 кВ
- Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1,15 В
- Ток Ic Непрерывный Макс.: 100 А
- Ток Ic Непрерывный b Макс.: 70 А
- Текущая температура: 25°C
- Внешняя глубина: 30,5 мм
- Внешняя длина/высота: 26 мм
- Внешняя ширина: 94 мм
- Время спада tf: 65 нс
- Центры крепления: 80 мм
- Тип крепления: Винт
- Количество транзисторов: 2
- Упаковка/кейс: SEMITRANS 2
- Время нарастания: 35 нс
- Тип корпуса транзистора: SEMITRANS 2
- Полярность транзистора: N-канал
- Тип транзистора:
- Напряжение Vces: 1,2 кВ
- РоХС: Да
