Datasheet IGB03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, 1200 В, 3 А, TO263 — Даташит

Купить IGB03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 71 до 171 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков INFINEON IGB03N120H2 IGBT Single Transistor, 3A, 2.8V, 62.5W, 1.2kV, TO-263, 3Pins
T-electron Россия и страны СНГ	IGB03N120H2ATMA1 Infineon	71 ₽	Купить
Софт Логистик Россия	IGB03N120H2ATMA1 Infineon	88 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IGB03N120H2ATMA1616 Infineon	93 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IGB03N120H2 Infineon	171 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, 1200 В, 3 А, TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGB03N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
· ·
Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A Qualified according to JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 1200V IC 3A Eoff 0.15mJ Tj 150°C Marking G03H1202 Package PG-TO263-3-2

Спецификации:

• DC Collector Current: 3 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• KESTER SOLDER - 24-6040-0066