Datasheet LMC660CN/NOPB - National Semiconductor Даташит ИС, операционный усилитель, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, DIP-14 — Даташит

Купить LMC660CN/NOPB на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 349 ₽ 32 предложений от 19 поставщиков IC: операционный усилитель; 1,4МГц; Ch: 4; DIP14; 4,75÷15,5ВDC
Maybo Весь мир	LMC660CN-NOPB National Semiconductor	130 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	LMC660CN/NOPB National Semiconductor	139 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	LMC660CNNOPB Texas Instruments	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	LMC660CN/NOPB Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: National Semiconductor

Описание: ИС, операционный усилитель, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, DIP-14

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier
June 2006
LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier
General Description
The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is ideal for operation from a single supply.

It operates from +5V to +15.5V and features rail-to-rail output swing in addition to an input common-mode range that includes ground. Performance limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past are not a problem with this design. Input VOS, drift, and broadband noise as well as voltage gain into realistic loads (2 k and 600) are all equal to or better than widely accepted bipolar equivalents. This chip is built with National's advanced Double-Poly Silicon-Gate CMOS process. See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational amplifier with these same features. n n n n n n n n Low input offset voltage: 3 mV Low offset voltage drift: 1.3 µV/°C Ultra low input bias current: 2 fA Input common-mode range includes V- Operating range from +5V to +15.5V supply ISS = 375 µA/amplifier; inde

Спецификации:

• Тип ОУ: High Gain
• Количество усилителей: 4
• Полоса частот: 1.4 МГц
• Скорость нарастания: 1.1 В/мкс
• Диапазон напряжения питания: 5 В ... 15.5 В
• Тип корпуса: DIP
• Количество выводов: 14

RoHS: есть