Datasheet NTE857M - NTE Electronics Даташит ИС, операционный усилитель, 4 МГц, 13 В/мкс, DIP-8 — Даташит
Наименование модели: NTE857M
![]() 23 предложений от 11 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, MINI, DIP-8 | |||
NTE857M NTE Electronics | 190 ₽ | ||
NTE857M NTE Electronics | 202 ₽ | ||
NTE857M | от 2 761 ₽ | ||
NTE857M | от 2 898 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: ИС, операционный усилитель, 4 МГц, 13 В/мкс, DIP-8
Краткое содержание документа:
NTE857M NTE857SM Integrated Circuit LowNoise JFETInput Operational Amplifier
Description: The NTE857M and NTE857SM are lownoise JFET input operational amplifiers combining two stateoftheart linear technologies on a single monolithic integrated circuit.
Each internally compensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset voltage. The BIFET technology provides wide bandwidths and fast slew rates with low input bias currents, input offset currents, and supply currents. Moreover, these devices exhibit lownoise and low harmonic distortion making them ideal for use in highfidelity audio amplifier applications. Features: D Available in Two Different Package Types: 8Lead Mini DIP (NTE857M) SOIC8 Surface Mount (NTE857SM) D Low Input Noise Voltage: 18nVHz Typ D Low Harmonic Distortion: 0.01% Typ D Low Input Bias and Offset Currents D High Input Impedance: 1012 Typ D High Slew Rate: 13V/µs Typ D Wide Gain Bandwidth: 4MHz Typ D Low Suppl
Спецификации:
- Тип ОУ: Low Noise
- Количество усилителей: 1
- Полоса частот: 4 МГц
- Скорость нарастания: 13 В/мкс
- Диапазон напряжения питания: ± 15 В
- Тип корпуса: DIP
- Количество выводов: 8
- Рабочий диапазон температрур: 0°C ... +70°C
RoHS: есть