Datasheet NTE859 - NTE Electronics Даташит ИС, операционный усилитель, 3 МГц, 13 В/мкс, DIP-14 — Даташит
Наименование модели: NTE859
 Купить NTE859 на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 26 834 ₽25 предложений от 15 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, OP Amp Quad GP ±18V 14Pin SOIC | |||
| NTE859 NTE Electronics | от 639 ₽ | ||
| NTE859 NTE Electronics | от 740 ₽ | ||
| NTE859 NTE Electronics | по запросу | ||
| NTE859. NTE Electronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: ИС, операционный усилитель, 3 МГц, 13 В/мкс, DIP-14
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
NTE859/NTE859SM Integrated Circuit Quad, Low Noise, JFET Input Operational Amplifier
Description: The NTE859 (14-Lead DIP) and NTE859SM (SOIC-14 Surface Mount) JFET-input operational amplifiers are low noise amplifiers with low noise input bias, offset currents, and fast slew rate.
The low harmonic distortion and low noise make these devices ideally suited as amplifiers for high-fidelity and audio preamplifier applications. Each amplifier features JFET-inputs (for high input impedance) coupled with bipolar output stages all integrated on a single monolithic chip. Features: D Low Power Consumption D Wide Common-Mode and Differential Voltage Ranges D Low Input Bias and Offset Currents D Output Short-Circuit Protection D Low Total Harmonic Distortion: 0.003% Typ D Low Noise: Vn = 18nVHZ Typ D High Input Impedance: JFET-Input Stage D Internal Frequency Compensation D Latch-Up Free Operation D High Slew Rate: 13V/µs Typ Absolute Maximum Ratings: (TA = 0 to +70°C unless otherwise specified)
Спецификации:
- Тип ОУ: Low Noise
- Количество усилителей: 4
- Полоса частот: 3 МГц
- Скорость нарастания: 13 В/мкс
- Диапазон напряжения питания: ± 15 В
- Тип корпуса: DIP
- Количество выводов: 14
- Рабочий диапазон температрур: 0°C ... +70°C
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- National Semiconductor - LF347BN/NOPB
- STMicroelectronics - LF347N.
- STMicroelectronics - TL084ACN
