Datasheet Texas Instruments OPA659IDRBT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | OPA659 |
| Модель | OPA659IDRBT |
Стабильный входной усилитель JFET с единичным коэффициентом усиления 650 МГц, 8-SON от -40 до 85
Datasheets
OPA659 Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input Operational Amplifier datasheet
PDF, 1.5 Мб, Версия: C, Файл опубликован: 23 ноя 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить OPA659IDRBT на РадиоЛоцман.Цены — от 161 до 1 369 ₽32 предложений от 17 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, TEXAS INSTRUMENTS OPA659IDRBT Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 350MHz, 2550V/µs, ± 3.5V to ± 6.5V, SON, 8Pins | |||
| OPA659IDRBT Texas Instruments | 401 ₽ | ||
| OPA659IDRBT Texas Instruments | 422 ₽ | ||
| OPA659IDRBT Texas Instruments | от 1 181 ₽ | ||
| OPA659IDRBT Texas Instruments | от 1 369 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DRB |
| Industry STD Term | VSON |
| JEDEC Code | S-PDSO-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | OBFI |
| Width (мм) | 3 |
| Length (мм) | 3 |
| Thickness (мм) | .88 |
| Pitch (мм) | .65 |
| Max Height (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| 2nd Harmonic | 79 dBc |
| 3rd Harmonic | 100 dBc |
| @ MHz | 10 |
| Acl, min spec gain | 2 V/V |
| Additional Features | N/A |
| Архитектура | FET,Voltage FB |
| BW @ Acl | 650 МГц |
| CMRR(Min) | 68 дБ |
| CMRR(Typ) | 70 дБ |
| GBW(Typ) | 650 МГц |
| Input Bias Current(Max) | 50 pA |
| Iq per channel(Max) | 32 мА |
| Iq per channel(Typ) | 30.5 мА |
| Количество каналов | 1 |
| Offset Drift(Typ) | 10 uV/C |
| Рабочий диапазон температур | от -40 до 85 C |
| Output Current(Typ) | 70 мА |
| Package Group | SON |
| Package Size: mm2:W x L | See datasheet (SON) PKG |
| Rail-to-Rail | No |
| Rating | Catalog |
| Slew Rate(Typ) | 2550 V/us |
| Total Supply Voltage(Max) | 13 +5V=5, +/-5V=10 |
| Total Supply Voltage(Min) | 7 +5V=5, +/-5V=10 |
| Vn at 1kHz(Typ) | 8.9 нВ/rtГц |
| Vn at Flatband(Typ) | 8.9 нВ/rtГц |
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max) | 5 мВ |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: OPA659EVM
OPA659EVM Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Noise Analysis for High Speed Op Amps (Rev. A)PDF, 256 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 17 янв 2005
As system bandwidths have increased an accurate estimate of the noise contribution for each element in the signal channel has become increasingly important. Many designers are not however particularly comfortable with the calculations required to predict the total noise for an op amp or in the conversions between the different descriptions of noise. Considerable inconsistency between manufactu
Модельный ряд
Серия: OPA659 (4)
- OPA659IDBVR OPA659IDBVT OPA659IDRBR OPA659IDRBT
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > High-Speed Op Amps (>=50MHz)
