Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IKW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

Infineon IKW25N120H3

Наименование модели: IKW25N120H3

57 предложений от 26 поставщиков
IGBT транзисторы.Тип: IGBTМощность: рассеиваемая (Pd) - 326 ВтДиапазон рабочих температур: -40…+175 °СОписание: IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326...
IKW25N120H3FKSA1
Infineon
от 210 ₽
Триема
Россия
IKW25N120H3FKSA1
220 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IKW25N120H3FKSA1
566 ₽
727GS
Весь мир
IKW25N120H3
Infineon
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ' $ ( ## #
!
" #
#
$

Спецификации:

  • DC Collector Current: 25 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Power Dissipation Max: 326 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - BW50-2G
  • CT CONCEPT - 2SC0435T2A0-17
  • Fuji Electric - 7MBP25RA-120-55

На английском языке: Datasheet IKW25N120H3 - Infineon IGBT+ DIODE, 1200 V, 25 A, TO247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка