Datasheet IKW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

Наименование модели: IKW25N120H3
Купить IKW25N120H3 на РадиоЛоцман.Цены — от 120 до 797 ₽57 предложений от 26 поставщиков IGBT транзисторы.Тип: IGBTМощность: рассеиваемая (Pd) - 326 ВтДиапазон рабочих температур: -40…+175 °СОписание: IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326... | |||
| IKW25N120H3FKSA1 Infineon | от 210 ₽ | ||
| IKW25N120H3FKSA1 | 220 ₽ | ||
| IKW25N120H3FKSA1 | 566 ₽ | ||
| IKW25N120H3 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247
Краткое содержание документа:
! ' $ ( ## #
!
" #
#
$
Спецификации:
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 326 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- CT CONCEPT - 2SC0435T2A0-17
- Fuji Electric - 7MBP25RA-120-55

Купить IKW25N120H3 на РадиоЛоцман.Цены




