Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IKW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

Infineon IKW25N120H3

Наименование модели: IKW25N120H3

57 предложений от 25 поставщиков
IGBT транзисторы.Вес брутто: 8.31Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/900Мощность: рассеиваемая (Pd) - 326 ВтТип: IGBTДиапазон рабочих температур: -40…+175 °СОписание: IGBT Trench Field Stop...
727GS
Весь мир
IKW25N120H3FKSA1
Infineon
от 94 ₽
ChipWorker
Весь мир
IKW25N120H3
Infineon
120 ₽
Эиком
Россия
IKW25N120H3FKSA1
Infineon
от 446 ₽
Maybo
Весь мир
IKW25N120H3FKSA1
Infineon
801 ₽
LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ' $ ( ## #
!
" #
#
$

Спецификации:

  • DC Collector Current: 25 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Power Dissipation Max: 326 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - BW50-2G
  • CT CONCEPT - 2SC0435T2A0-17
  • Fuji Electric - 7MBP25RA-120-55

На английском языке: Datasheet IKW25N120H3 - Infineon IGBT+ DIODE, 1200 V, 25 A, TO247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка