Datasheet IKW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW25N120H3
![]() 57 предложений от 25 поставщиков IGBT транзисторы.Вес брутто: 8.31Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/900Мощность: рассеиваемая (Pd) - 326 ВтТип: IGBTДиапазон рабочих температур: -40…+175 °СОписание: IGBT Trench Field Stop... | |||
IKW25N120H3FKSA1 Infineon | от 94 ₽ | ||
IKW25N120H3 Infineon | 120 ₽ | ||
IKW25N120H3FKSA1 Infineon | от 446 ₽ | ||
IKW25N120H3FKSA1 Infineon | 801 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 25 А, TO247
Краткое содержание документа:
! ' $ ( ## #
!
" #
#
$
Спецификации:
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 326 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- CT CONCEPT - 2SC0435T2A0-17
- Fuji Electric - 7MBP25RA-120-55