Datasheet 2DB1713-13 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT89, 0.9 Вт — Даташит
Наименование модели: 2DB1713-13
![]() 23 предложений от 10 поставщиков DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE | |||
2DB1713-13 Diodes | от 13 ₽ | ||
2DB1713-13 Diodes | 18 ₽ | ||
2DB1713-13 Diodes | от 24 ₽ | ||
2DB1713-13 Diodes | 27 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, PNP, SOT89, 0.9 Вт
Краткое содержание документа:
2DB1713
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Complementary NPN Type Available (2DD2678) Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2)
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
- Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
- Рассеиваемая мощность: 900 мВт
- DC Collector Current: 1.5 А
- DC Current Gain: 270
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 250 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 1.5 А
- Частота единичного усиления типовая: 180 МГц
- DC Current Gain Min: 270
- Тип корпуса: SOT-89
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
RoHS: есть
Варианты написания:
2DB171313, 2DB1713 13