Datasheet DMMT5551-7-F - Diodes Даташит Транзистор, MATCHED NPN/NPN, SOT26 — Даташит
Наименование модели: DMMT5551-7-F
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Массив биполярных транзисторов, NPN, 160 В, 200 мА, 300 мВт, 80 hFE, SOT-26 | |||
DMMT5551-7-F Diodes | от 2.45 ₽ | ||
DMMT5551-7-F Diodes | от 19 ₽ | ||
DMMT5551-7-F Diodes | от 22 ₽ | ||
D-DMMT5551-7-F | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, MATCHED NPN/NPN, SOT26
Краткое содержание документа:
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) "Green" Device (Note 5 and 6)
A
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 200 мА
- DC Current Gain: 80
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-26
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 200 мА
- Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: SOT-26
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Small Signal
RoHS: есть
Варианты написания:
DMMT55517F, DMMT5551 7 F