HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet DMMT5551-7-F - Diodes Даташит Транзистор, MATCHED NPN/NPN, SOT26 — Даташит

Diodes DMMT5551-7-F

Наименование модели: DMMT5551-7-F

30 предложений от 12 поставщиков
Массив биполярных транзисторов, NPN, 160 В, 200 мА, 300 мВт, 80 hFE, SOT-26
Akcel
Весь мир
DMMT5551-7-F
Diodes
от 7.08 ₽
Utmel
Весь мир
DMMT5551-7-F
Diodes
от 7.26 ₽
AiPCBA
Весь мир
DMMT5551-7-F
Diodes
17 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
DMMT55517F
701 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, MATCHED NPN/NPN, SOT26

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) "Green" Device (Note 5 and 6)
A

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • DC Collector Current: 200 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-26
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 200 мА
  • Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
  • DC Current Gain Min: 80
  • Тип корпуса: SOT-26
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Small Signal

RoHS: есть

Варианты написания:

DMMT55517F, DMMT5551 7 F

На английском языке: Datasheet DMMT5551-7-F - Diodes TRANSISTOR, MATCHED NPN/NPN, SOT26

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России