Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet FZT649 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Diodes FZT649

Наименование модели: FZT649

36 предложений от 21 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 3 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount
FZT649
Fujitsu-Siemens
6.77 ₽
AiPCBA
Весь мир
FZT649-CUT TAPE
Fairchild
15 ₽
Элитан
Россия
FZT649
ON Semiconductor
31 ₽
Akcel
Весь мир
FZT649TA
Diodes
от 44 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 4 FEBRUARY 1996 FEATURES * 25 Volt VCEO * 3 Amp continuous current * Low saturation voltage * Excellent hFE specified up to 6A COMPLEMENTARY TYPE PARTMARKING DETAIL PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage Temperature Range PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Turn-On Voltage Static Forward Current Transfer Ratio Transition Frequency Output Capacitance Switching Times SYMBOL MIN.

35 V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) hFE 70 100 75 15 150 0.12 0.40 0.9 0.8 200 200 150 50 240 25 55 300 25 5 0.1 10 0.1 0.3 0.6 1.25 1.0 300 MHz 50 pF ns ns FZT749
FZT649
C
E C B

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 В
  • Gain Bandwidth ft Typ: 240 МГц
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • DC Collector Current: 3 А
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
  • Current Ic Continuous a Max: 3 А
  • Current Ic hFE: 1 А
  • DC Current Gain hFE: 200
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц
  • Hfe Min: 100
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
  • Pulsed Current Icm: 8 А
  • SMD Marking: FZT649
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vcbo: 35 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL
  • LICEFA - V11-7
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet FZT649 - Diodes TRANSISTOR, NPN, SOT-223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России